Японские ученые разработали новую технологию продления срока службы флэш-памяти
Новая технология ферроэлектрической NAND флэш-памяти позволяет перезаписывать данные до 100 млн. раз по сравнению с 10 тыс. раз, предоставляемыми в среднем современной флэш-памятью.
Кроме того, новые чипы требуют для своей работы меньшее напряжение, нежели традиционные модели. Для перезаписи им требуется напряжение 6В, по сравнению с 20 и более вольт, необходимых современным чипам.
При этом они могут производиться по 10-нанометровой технологии, благодаря чему можно будет получить флэш-память, размер которой на треть меньше чипов следующего поколения.
В таких чипах также будет применена технология определения износа, которая будет выводить из работы износившиеся ячейки, а также дезактивировать плохо функционирующие, не уничтожая при этом весь чип.
В настоящее время флэш-память широко используется в таких устройствах, как
Apple iPhone, мини-ноутбуки наподобие Asus Eee PC, игровые консоли (Nintendo Wii), карточки памяти, цифровые камеры и так далее.
Поделиться в соц. сетях
Метки:карты памяти
