Sony Corporation объявила о разработке нового 3-слойного CMOS датчика с DRAM для смартфонов. Новый датчик изображения состоит из обычного двухслойного CMOS датчика с задней подсветкой и слоя памяти DRAM.

Новый датчик обеспечивает высокую скорость считывания данных, что позволяет захватывать неподвижные изображения быстро движущихся объектов с минимальным искажениями фокальной плоскости и создавать видео со скоростью до 1000 кадров в секунду в формате Full HD (1920х1080 пикселей).

Память DRAM используется для временного хранения данных, что позволяет считать один стоп-кадр из 19,3 миллиона пикселей за 1/120 секунды.

Обычный 2-слойный датчик изображения CMOS
Обычный 2-слойный датчик изображения CMOS

3-слойный датчик изображения CMOS с DRAM
3-слойный датчик изображения CMOS с DRAM
Также в разработанном датчике решены некоторые технические проблемы присущие конструкции, например, уменьшение шума, создаваемого между цепями на каждом из трех слоев.

Основные характеристики

Эффективное количество пикселей 5520 (Ш) × 3840 (В) 21,2 мегапикселя
Размер изображения Диагональ 7.73 мм (тип 1/2,3″)
размер элементарной ячейки 1.22μm (Ш) х 1.22μm (В)
Частота кадров Фото
30 кадров в секунду / 4:3 19,3 Мп / 16: 9 17,1 Мп
Кино
60fps 4K (3840 х 2160)
240fps Full HD/720p
скорость считывания 8.478 мс (4:3 19.3 Мп) / 6.962 мс (16:9 17,1 Мп)
Источник питания 2.5V / 1.8V / 1.1V
Формат изображения Bayer RAW
Вывод MIPI (CSI2) D-PHY 2.2Gbps/lane / C-PHY 2.0Gsps/lane
Объем DRAM 1 Гбит

Результаты разработки нового датчика были объявлены на Международной конференции (ISSCC) в Сан-Франциско, которая началась в воскресенье, 5 февраля 2017 года.